STP28NM50N,分立半导体产品,基本技术参数
类别 | 分立半导体产品 |
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家庭 | FET - 单 |
系列 | MDmesh™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 21A |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 158 毫欧 @ 10.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 50nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1735pF @ 25V |
功率 - 值 | 90W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |