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FP50R12KE3
Infineon
50A1200V
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品IGBT Silicon Modules
配置Hex
集电极—发射极电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.15 V
Continuous Collector Current at 25 C75 A
栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散270 W
工作温度+ 125 C
封装 / 箱体EconoPIM3
栅极/发射极电压+/- 20 V
工作温度- 40 C
安装风格Screw
深圳市宏世佳电子科技有限公司
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