SPW20N60C3 ，分立半导体产品
全新原装，公司现货销售。
数量：3500pcs.
参数：
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 20.7A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 114nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 2400pF @ 25V
功率 - 值 208W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
