STW40N60M2,分立半导体产品
全新原装,公司现货销售
型号:STW40N60M2
品牌:ST
封装:TO247
参数:
FET 类型: N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On):10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(值):88 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值):57nC @ 10V
Vgs(值): ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(值):2500pF @ 100V
FET 功能: -
功率耗散(值):250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳|:TO-247-3